刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達上百個，是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。

中微公司專注于研發(fā)干法刻蝕（等離子體刻蝕）設(shè)備，用于在晶圓上加工微觀結(jié)構(gòu)。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據(jù)所要去除材料和加工器件結(jié)構(gòu)的不同，可分為電介質(zhì)刻蝕、導(dǎo)體刻蝕和硅通孔刻蝕。

新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設(shè)備帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，同時對性能的要求（刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性）越來越高。中微公司憑借一系列刻蝕設(shè)備組合處于刻蝕創(chuàng)新技術(shù)的前沿，幫助芯片制造商加工10納米、7納米甚至5納米及更先進的微觀結(jié)構(gòu)，具有成本優(yōu)勢。

中微公司自主研發(fā)生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備已被眾多領(lǐng)先客戶的芯片生產(chǎn)線所采用，用于制造先進的半導(dǎo)體器件，以推動人工智能、機器學(xué)習(xí)和機器人技術(shù)的發(fā)展。這些半導(dǎo)體器件還能提供邏輯和存儲器，以應(yīng)用于消費者電子產(chǎn)品、5G網(wǎng)絡(luò)、功能強大的服務(wù)器、自動駕駛汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。